.RU

§ 1. Энергетические диаграммы ПЗС - Краткий курс лекций лекция Введение Вопросы для рассмотрения: Транзисторные...


§ 1. Энергетические диаграммы ПЗС


В зависимости от напряжения на затворе ток стока может значительно меняться. Его изменение связано с возникновением проводящего канала. В n-канальном транзисторе VG положительно и потому по принципу работы конденсатора притягивает из крем­ния к его поверхности отрицательно заряженные заряды, т.е. электроны. Если напряжение VD не подавать (оно будет равно 0), то притянутые к поверхности так называемые инверсные элек­троны будут как бы “сидеть” под затвором сосредоточившись в небольшой потенциальной яме. Глубина этой ямы в глубь под­ложки непосредственно определяется VG — чем больше это на­пряжение, тем глубже и более полно заполнена электронами эта яма. Можно убрать из конструкции МОП-транзистора электроды истока и стока и вместо них поместить другие затворы. В резуль­тате получится цепочка МОП-конденсаторов. Подавая на них раз­ные затворные напряжения можно создавать разные потенциаль­ные ямы под подзатворным окислом и накапливать в них разный заряд.

В матрице МОП-конденсаторов заряды можно перемещать из ячейки в ячейку с помощью трехтактового «двигателя». Пояс­ним процесс переноса на примере регистра сдвига (рис. 9). Пусть заряды собраны в первой ячейке. На все электроды подается оди­наковый положительный потенциал VG. На втором этапе потен­циал соседней (второй) ячейки увеличен до 3 VG. Разницы потен­циалов в 2 VG достаточно, чтобы «сдуть» все заряды во вторую ячейку, после чего потенциалы выравниваются. Процесс повторя­ется, заряд перемещают в третью ячейку и т. д.




Рис. 9. Принцип работы ПЗС-матрицы.


Чаще всего ПЗС-матрицы используются в качестве пере­дачи световой информации, например, какого-нибудь изображе­ния, в том числе и телевизионного. Каждый МОП-конденсатор является элементом изображения (1 пикселем). Яркость этого пикселя полностью задает размер потенциальной ямы в МОП-конденсаторе и накопленный заряд. Потом этот заряд считыва­ется, передаваясь в соседний МОП-конденсатор, который и явля­ется считывающим. Таким образом, любая ПЗС-матрица состоит из удвоенного (чаще утроенного) набора МОП-конденсаторов. Один является рабочим, он воспринимает световую информацию, а два других — считывающие эту информацию для постройки изображения. Телевизионная передача разбита на 24 кадра в се­кунду и соответственно каждый МОП-конденсатор 24 раза в се­кунду формирует свою потенциальную яму.


§ 2. Основы флеш-памяти

Ячейки флэш-памяти бывают как на одном, так и на двух МОП-транзисторах. В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной областью над про­водящим каналом, называемой "плавающим" затвором (рис. 10). Информация в нем, т.е. некоторый заряд, способна храниться много лет. Чаще всего, в схемах наличие заряда рассматривается как логический “0”, а отсутствие – как “1”. При записи заряд по­мещается на плавающий затвор из проводящего канала МОП-транзистора одним из двух способов в зависимости от типа ячейки (ее размеров): методом инжекции "горячих" электронов или методом туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие заряда с "плавающего" затвора) производится ме­тодом туннелирования. Флэш-память в современных зарубежных образцах изготавливается на транзисторах с эффективной длиной канала 0,13 и 0,18 мкм.



Рис. 10. Схема МОП-транзистора как ячейки flash-памяти.


Рассмотрим простейшую ячейку флэш-памяти на одном n-p-n транзисторе. Ячейки подобного типа чаще всего применялись во flash-памяти с NOR-архитектурой, а также в микросхемах EPROM. Поведение транзистора зависит от количества электро­нов на "плавающем" затворе. Помещение заряда на "плавающий" затвор происходит в результате разогрева электронов в проводя­щем канале и инжекции наиболее разогретых носителей через толщу окисла на плавающий затвор. Попасть туда могут элек­троны с энергией не меньше 3.2 эВ и их называют CHE (channel hot electrons). Снятие заряда с плавающего затвора осуществля­ется посредством квантомеханического туннелирования по схеме Фаулера-Нордхейма. Ниже в таблице схематично показаны дан­ные процессы.




При чтении информации подается положительное напряжение на управляю­щий затвор. В отсутствие заряда на "плавающем" за­творе в кремнии образуется n-канал между истоком и стоком, и возникает ток.



Наличие заряда на "пла­вающем" затворе модифи­цирует вольт-амперные ха­рактеристики транзистора таким образом, что при по­даче обычного для чтения информации напряжения на управляющий затвор канал между истоком и стоком не появляется. В результате ток стока в МОП-транзи­сторе практически не течет или точнее близок к нулю.



Процедура программирова­ния flash-памяти заключа­ется в подаче на сток и управляющий затвор доста­точно высокого напряже­ния. При этом на управ­ляющий затвор напряжение подаётся в два раза выше, чем на сток. "Горячие" электроны из канала ин­жектируются на плаваю­щий затвор и изменяют вольт-амперные характери­стики МОП-транзистора.



Когда нужно стереть заряд с плавающего затвора, од­новременно на управляю­щий затвор подаётся высо­кое отрицательное напря­жение, а на исток высокое положительное. В резуль­тате в окисле между пла­вающим затвором и исто­ком произойдет существен­ное падение напряжение, которое заметно уменьшит толщину этого окисла и при чем именно для тех элек­тронов, что находятся на плавающем затворе. До от­сутствия отрицательного напряжения толщина дан­ного окисла не допускала туннелирования, а сейчас оно протекает по схеме Фаулера-Нордхейма.




Эффект туннелирования – это эффект, связанный с кванто­вомеханическими свойствами электрона (волновыми), и очень сильно зависит от толщины потенциального барьера. Небольшое изменение толщины приводит к существенному увеличению тун­нельного тока. На рис. 11 показан механизм удаления заряда с пла­вающего затвора. Напряжения подбираются таким образом, чтобы изменение dox1 обеспечивало мгновенное туннелирование элек­тронов в исток.



Рис. 11. Стирание заряда из ячейки flash-памяти.


Лекция 4.

Изменение потенциала в МОП-транзисторе


Вопросы для рассмотрения:

1. Энергетическая диаграмма в направлении исток-подложка-сток

2. Энергетическая диаграмма в направлении затвор-подзатворный окисел-подложка


§ 1. Энергетическая диаграмма в направлении исток-подложка-сток


Данная диаграмма имеет следующий вид




















Рис. 12. Приповерхностный потенциал :

а) отсутствует напряжение на стоке (VD=0) и отсутствует

проводящий канал (<);

б) отсутствует напряжение на стоке (VD=0), но канал присутствует (>);

в) напряжение на стоке равно рабочему (VD>0).





Формально области истока, подложки p-типа и стока в совокупности являются типичным биполярным транзистором. Рис. 12а можно рассматривать как энергетическую диаграмму такого транзистора. В отсутствие напряжения на стоке переходы исток-подложка и сток-подложка симметричны и характеризуются некоторой высотой барьера . В отсутствие канала, т.е. < (обычно = 0), Величина оказывается равной , где ni – собственная концентрация. Ширина обедненной области, обусловленной наличием барьера , равна . С появлением канала, но при отсутствии напряжения на стоке (> и = 0) заметно уменьшится высота барьера и размеры обедненной области в направлении исток-канал-сток (рис. 12б). Значения и можно рассчитать с помощью следующих соотношений: = и =, где – концентрация электронов в канале.

После подачи на сток некоторого напряжения отличного от нуля будет, во-первых, увеличиваться барьер на стоке на величину , а, во-вторых, увеличиваться и размеры обедненной области перехода у стока (рис. 12в). Длину этой области теперь можно рассчитать согласно =, где величина удовлетворяет условию <<+. Величина у истока изменится очень незначительно, а в случае длинноканальных приборов вообще останется постоянной. Однако для удобства определения будем ее обозначать при >0 как .

Вообще следует различать металлургическую длину канала транзистора (между резкими границами истока и стока) от его дрейфовой (где осуществляется дрейф электронов от истока к стоку . Особенность электрического поля на участке заключается в экспоненциальном росте напряженности его продольной составляющей, тогда как на остальном участке дрейфовой части канала напряженность продольной составляющей растет незначительно и изменяется по линейному закону.


§ 2. Энергетическая диаграмма в направлении затвор-подзатворный окисел-подложка


Данная диаграмма в первые моменты включения затворного напряжения имеет вид




После установления инверсионного слоя у поверхности раздела подзатворный окисел / кремний энергетическая диаграмма приобретет вид





Лекции 5.

Инверсионный канал в МОП-транзисторе


Вопросы для рассмотрения:

1. Режимы обеднения, обогащения и инверсии в МОП-транзисторе

2. Уравнение Пуассона и закон Гаусса для расчета потенциала инверсионного слоя в кремнии

3. Ширина обедненного и инверсионного слоев у поверхности раздела Si/SiO2





Рис. 13. Ход электрического потенциала у поверхности раздела Si/SiO2

в канале МОП-транзистора


К затвору прикладывается напряжение VG, которое падает частью на окисле (эта часть равна Vox), а частью на кремнии (эта часть равна φs+φb ).

Согласно закону Гаусса для границы раздела двух сред Si/SiO2 можно записать






где левая часть фактически и есть доля затворного напряжения, падающая на окисле, а правая – на приповерхностной области кремния p-типа. В этом выражении – напряжение на затворе, – падение напряжения в кремнии (искривление зон), – потенциал плоских зон, который для n-канального МОП-транзистора всегда положителен и изменяется от 0,8 до 1,1 В, и – диэлектрическая постоянная окисла и его толщина, Ns и – поверхностные концентрации электронов и акцепторного заряда обедненной области. Величины этих концентраций с незначительной погрешностью можно рассчитать с помощью известных соотношений
















где – объемная концентрация электронов у поверхности раздела окисел/кремний, ni – собственная концентрация носителей заряда в кремнии при данной температуре (порядка 1019 м–3), NA – объемная концентрация акцепторной примеси, – диэлектрическая постоянная кремния, – толщина инверсионного слоя, которая практически для всех случаев равна приблизительно 10 нм. Таким образом, положительное затворное напряжение вызовет определенное падение напряжения в кремнии под затвором, которое равно по величине искривлению энергетических зон у границы раздела Si/SiO2. В случае, когда станет больше согласно первой формуле сформируется так называемый инверсионный канал толщиной с поверхностной концентрацией электронов Ns, удовлетворяющей соотношениям второй и третьей формул. Величина тока от истока к стоку определяется только значением , величина же является паразитной и ненужной — ее формирование ухудшает характеристики транзистора и является фактически причиной существования порогового напряжения. Пока не сформируется определенное значение — инверсные электроны не возникают.

Таким образом, положительное затворное напряжение вызовет определенное падение напряжения в кремнии под затвором, которое равно по величине искривлению энергетических зон у границы раздела Si/SiO2. В случае, когда станет больше согласно первой формуле сформируется так называемый инверсионный канал толщиной с поверхностной концентрацией электронов Ns, удовлетворяющей соотношениям второй и третьей формул. Величина тока от истока к стоку определяется только значением , величина же является паразитной и ненужной — ее формирование ухудшает характеристики транзистора и является фактически причиной существования порогового напряжения. Пока не сформируется определенное значение – инверсные электроны не возникают.

Выражения для концентраций можно подставить в формулу закона Гаусса и получить трансцендентное соотношение относительно . Решая его численно, можно получить зависимость значения от величин , и , а зная — несложно с помощью выражения третьего выражения для концентрации получить значение в инверсионном слое кремния, т.е. проводящем канале транзистора.

Если в случае, когда достаточно велико (т.е. не намного меньше по величине – а в рабочем режиме даже и бóльше), электроды истока и стока вновь подключить в какую-то цепь с питанием, то на данном транзисторе вследствие образования инверсионного слоя с электронами будет падать относительно небольшое напряжение, связанное только с сопротивлением канала, а также сопротивлениями исток-канал и сток-канал. Если в этой цепи помимо транзистора будут сопротивления, бóльше по величине указанных, то данный транзистор можно рассматривать, как передающий логический “0”. Однако очень важно обеспечивать постоянным рабочее значение (когда бóльше либо сравнимо с ) во все время включения , так как даже небольшое изменение непременно вызовет существенные изменения Ns и и приведет к изменению сопротивлений канала и переходов исток-канал и канал-сток, что может исказить передачу сигнала логического “0”. Обычно непостоянство со временем при постоянном называют сдвигом порогового напряжения.

Глу­бина области обеднения определяется величиной падающего в ней напряжения и уровнем легирования подложки акцепторной примесью согласно соотношению .


Лекция 6.

Свойства подзатворного окисла


Вопросы для рассмотрения:

1. Емкость подзатворного окисла

2. Время образования инверсионного слоя и время переключения транзистора

3. Заряды в окисле и на поверхности раздела Si/SiO2


§ 1. Емкость подзатворного окисла


Величина емкости подзатворного окисла МОП-транзи­стора совпадает с емкостью плоского конденсатора и может быть рассчитана с помощью формулы , где – диэлек­трическая проницаемость оксида кремния, – диэлектриче­ская постоянная, – ширина поверхности подзатвор­ного окисла и – толщина подзатворного окисла. При этом, как известно, положительное напряжение на одной из обкладок конденсатора вызовет формирование на этой же обкладке поло­жительного заряда, а на противоположной — отрицательного.


§ 2. Время образования инверсионного слоя и время переключения транзистора


Время переключения МОП-транзистора — это время, в тече­ние которого он переключается из состояния “0” в состояние “1” или наоборот. Это время определяет быстродействие всех цифро­вых устройств, в состав которых входят МОП-транзисторы, в том числе и самого микропроцессора. Поэтому, чем меньше время переключения МОП-транзистора, тем быстрее работает микро­процессор, т.е. выше его тактовая частота. Тактовая частота мик­ропроцессора — это и есть фактически величина, обратная вре­мени переключения.

Строго говоря, в МОП-транзисторе времена переключения из состояния “0” в состояние “1” и из состояния “1” в состояние “0” не равны друг другу, хотя и сравнимы по своей величине. Рис. 14 и 15, на которых отражены переходные процессы, наблюдаемые в МОП-транзисторе при его переключении, поясняют, какие явле­ния длительностью своего протекания и составляют эти времена. Прежде чем их проанализировать, напомним, что состояние “0” характеризуется очень маленьким, близким к нулю напряжением на стоке, которое можно обозначить как VDост, и относительно большим значением тока, протекающего между истоком и стоком, которое можно определить как IDраб. Состояние “1”, соответст­венно, характеризуется рабочим напряжением VDD, устанавливае­мом на стоке, и отсутствием заметного тока между истоком и сто­ком, т.е. .









Рис. 14. Переходные процессы при переходе из состояния “1” в состояние “0”




Рис. 15. Переходные процессы при переходе из состояния “0” в состояние “1”


Рассмотрим данные переходы на примере n-канального МОП-транзистора. При этом следует отметить, что их природа для p-канального совершенно идентична. Как известно, в n-ка­нальном приборе включение “0” достигается подачей на затвор положительного напряжения VG (обычно близкого по величине к VDD), а включение “1” достигается подачей на затвор нулевого напряжения, т.е. выключением положительного VG. Следова­тельно, на рис.14 отсчет времени начинается с момента подачи на затвор напряжения VG, а на рис. 15 — с момента его выключения.

Время перехода из “1” в “0” фактически образуют три вре­мени t1, t2 и t3, отмеченные на рис. 14. С каждым из этих времен связан свой физический процесс, протекающий в МОП-транзи­сторе. t1 есть время, за которое искривятся зоны в подзатворном окисле и кремнии у поверхности раздела. t2 есть время, за которое электроны из истока по искривленному у поверхности участку попадают в сток. t3 есть время, за которое попадающие в сток электроны приведет к уменьшению падения напряжения в стоке VD, приведя его к очень маленькому значению. После того, как установится это маленькое значение VD, МОП-транзистор переходит в состояние “0”.

Переход в состояние “1” однотипен. Он заканчивается при уменьшении стокового напряжения до 0, после того как разорвется канал между истоком и стоком в результате выключения положительного затворного напряжения. Как следствие, на стоке вновь установится высокое значение VDD.

Время переключения МОП-транзистора необходимо отличать от времени образования инверсионного канала. Инверсионный канал образуют инверсные электроны. Этим электронам при наличии p-подложки неоткуда взяться — только благодаря тепловой генерации. Темп этой тепловой генерации очень небольшой. Чтобы сформировался инверсионный слой с концентрацией электронов, соответствующей приложенному затворному напряжению, необходимо время порядка несколько миллисекунд. Время переключения же составляет пару десятков наносекунд — оно намного меньше времени обраования инверсионного канала.


§ 3. Заряды в окисле и на поверхности раздела Si/SiO2


Все заряды в окисле делятся на две группы — подвижные и неподвижные. Первые — это проникшие в подзатворный окисел электроны. Очевидно, что они наводят в нем отрицательный заряд. Также в подзатворном окисле очень много паразитных положительных зарядов, возникающих в нем в технологическом процессе формирования этого окисла. Подзатворный окисел образуется при помещении кремниевой пластины в печь при разогреве ее до очень высоких температур (более 10000 С). Присутствующие в печи подвижные примесные атомы внедряются в формируемый на поверхности кремниевой пластины окисел и остаются в нем.


Лекции 7.

ВАХ МОП-транзистора


Вопросы для рассмотрения:

1. Уравнение ВАХ для линейного участка

2. Уравнение ВАХ для нелинейного участка

3. Отсечка канала


§ 1. Уравнение ВАХ для линейного участка


Выходная ВАХ МОП-транзистора имеет вид




Рис. 16. Типичная выходная ВАХ МОП-транзистора


Рост тока стока при постоянном затворном напряжении с изменением напряжения на стоке явно демонстрирует три участка — линейный начальный, переход к пологому участку и пологий насыщенный участок. Появление трех этих участков связано с рядом физических процессов, протекающих в канале МОП-транзистороа между истоком и стоком. Их можно разделить на два типа — 1) связанные с поведением потенциала в канале и 2) связанные с дрейфом электронов в канале.

Линейный участок ВАХ обусловлен существованием линейного изменения потенциала в канале МОП-транзистора. На рис. 17 показан ход потенциала в канале.





Рис. 17. Ход потенциала в канале


Величина напряжения VD еще невелика, и потенциал от истока к стоку изменяется линейно. При этом напряженность тянущего поля также относительно невелика и не приводит к сколько заметному разогреву электронов. Они движутся от истока к стоку приблизительно с одной дрейфовой скоростью и характеризуются постоянным значением подвижности . В этом случае ток стока можно представить как изменение заряда инверсных электронов в канале МОП-транзистора за время их движения от истока к стоку согласно известной формуле

.

Но очевидно, что связана с дрейфовой скоростью, с которой пролетают путь от истока к стоку электроны, согласно . Подвижность, дрейфовая скорость и напряженность электрического поля связаны друг с другом известным соотношением . Но так как потенциал в канале изменяется линейно, то постоянна и равна . Если подставим все эти соотношения в выражение времени переноса, получим

.

Величина инверсного заряда может быть найдена согласно



Подставив значения и в выражение для тока стока, окончательно получим

.

Это и есть выражение для тока стока в МОП-транзисторе, работающем в линейном режиме.



-2-gosudarstvennie-polnomochiya-po-regulirovaniyu-mestnogo-samoupravleniya.html
-2-grazhdanstvo-i-rezhim-inostrancev-b-a-strashun-moskva-izdatelstvo.html
-2-harakteristika-tipovih-grupp-sledstvennih-situacij-skladivayushihsya-pri-rassledovanii-prestuplenij-sovershennih-voennosluzhashimi-v-rajonah-vooruzhennogo-konflikta.html
-2-identificiruemie-i-identificiruyushie-obekti-a-a-ejsman-gl-1-124-gl-2.html
-2-individualnie-zanyatiya-evristika.html
-2-intellektualnie-prava-na-selekcionnie-dostizheniya-pervaya.html
  • kanikulyi.bystrickaya.ru/zakonodatelnij-process-23.html
  • predmet.bystrickaya.ru/soglasie-vipolnit-vse-usloviya-ispolneniya-municipalnogo-kontrakta-ukazannie-v-konkursnoj-dokumentacii-danet-da.html
  • tests.bystrickaya.ru/konceptualnie-podhodi-k-razrabotke-programm-dorozhnih-rabot-na-srednesrochnij-period-2008-2010-godi.html
  • ekzamen.bystrickaya.ru/richard-bendler-ispolzujte-svoj-mozg-dlya-izmenenij-stranica-3.html
  • zanyatie.bystrickaya.ru/problema-vozniknoveniya-zhizni-na-zemle.html
  • prepodavatel.bystrickaya.ru/tamozhennie-preferencii-chast-8.html
  • education.bystrickaya.ru/214planiruemoe-izmenenie-zemelnogo-fonda-na-perspektivu-sostav-proektnih-materialov.html
  • student.bystrickaya.ru/17-gosudarstvennoe-obrazovatelnoe-uchrezhdenie-visshego-professionalnogo-obrazovaniyavolgogradskij-gosudarstvennij-medicinskij-universitet-volgmu.html
  • lesson.bystrickaya.ru/uchet-gotovoj-produkcii-i-analiz-realizacii-produkcii-na-proizvodstvennih-predpriyatiyah.html
  • knowledge.bystrickaya.ru/novaya-kamasutra.html
  • tetrad.bystrickaya.ru/vnutrifrakcionnaya-rabota-pressa-gosduma-rf-monitoring-smi-25-oktyabrya-2006-g.html
  • institute.bystrickaya.ru/glava-3-administrativno-pravovie-normi-administrativnoe-pravo-ukraini.html
  • uchit.bystrickaya.ru/stanciya-bezlichnie-predlozheniya-innovacionnaya-deyatelnost-uchitelya-russkogo-yazika-i-literaturi-mou-sosh-2-g.html
  • vospitanie.bystrickaya.ru/www-powerlifting-kurgan-narod-ru-stranica-46.html
  • textbook.bystrickaya.ru/harakteristika-sostava-podsistem-i-kompleksov-zadach-metodicheskie-ukazaniya-k-prakticheskim-i-laboratornim-zanyatiyam.html
  • zanyatie.bystrickaya.ru/silovie-privodi-naznachenie-i-klassifikaciya-prisposoblenij.html
  • school.bystrickaya.ru/fizicheskie-lica-kak-subekti-mchp-chast-5.html
  • writing.bystrickaya.ru/bankvsk-operac-chast-3.html
  • shpargalka.bystrickaya.ru/volgograd-izdatelstvo-uchitel.html
  • college.bystrickaya.ru/32izmeritelnie-vhodi-rukovodstvo-po-ekspluatacii-kubf-421445-009-re.html
  • bystrickaya.ru/vimogi-do-suchasnogo-uroku.html
  • zadachi.bystrickaya.ru/rezhimi-i-sposobi-hraneniya-zernovih-mass-chast-7.html
  • lesson.bystrickaya.ru/tb-alisova-nekotorie-sintaksicheskie-osobennosti-staroitalyanskoj-florentijskoj-prozi.html
  • institut.bystrickaya.ru/tipovaya-uchebnaya-programma-dlya-visshih-uchebnih-zavedenij-po-specialnostyam-1-31-02-01-geografiya-1-33-01-02-geoekologiya.html
  • prepodavatel.bystrickaya.ru/tiho-brage-ni-staraya-rasstanovka-ptolemeya-ni-novovvedeniya-velikogo-kopernika.html
  • reading.bystrickaya.ru/kogda-nachnetsya-vesennyaya-ohota-tema-vse-novosti-monitoring-i-analiz-smi-v-gorode-kirov-data-10-04-2011.html
  • uchit.bystrickaya.ru/ssha-gotovi-vstretit-krokodila-afganskij-geroin-stal-obshej-problemoj-rf-i-ssha-01-06-2011-moskva-ng.html
  • knigi.bystrickaya.ru/rvselyukov-mon-rf-ashevchenko-programma-konferencii-komplekt-razdatochnih-materialov-spisok-uchastnikov.html
  • urok.bystrickaya.ru/problemi-lesopolzovaniya-i-ohrani-cennih-estestvennih-lesov-karelii.html
  • ekzamen.bystrickaya.ru/specsluzhbi-tretego-rejha-stranica-2.html
  • desk.bystrickaya.ru/pasport-programmi-informacionnaya-spravka-problemno-orientirovannij-analiz-deyatelnosti-obsheobrazovatelnogo-uchrezhdeniya-za-2010-2011-uchebnij-god-razdel-2-stranica-7.html
  • composition.bystrickaya.ru/osobie-obstoyatelstva-svyazannie-so-srochnim-ili-delikatnim-harakterom-dela-ot-sostavitelya.html
  • turn.bystrickaya.ru/pervaya-chast-raschetnoe-zadanie.html
  • shpargalka.bystrickaya.ru/uluchshenie-ekologicheskih-harakteristik-dizelya-regulirovaniem-sostava-smesevogo-biotopliva.html
  • thesis.bystrickaya.ru/pravila-soderzhaniya-obshego-imushestva-leonid-ilich-u-menya-dlya-vas-dve-novosti.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.